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SiLM27511H
单通道 20V, 4A/5A 高欠压保护低边门极驱动器
样片申请
SiLM27511H Datasheet SiLM27511H-AQ Datasheet SiLM27511HCJ-AQ Datasheet
产品概述
产品特性
安规认证
典型应用图
产品概述

SiLM27511H系列是单通道高欠压保护低边门极驱动器,可有效驱动MOSFET和IGBT等功率开关。SiLM27511H 采用一种能够从内部极大的降低直通电流的设计,将高峰值的源电流和灌电流脉冲提供给电容负载,以实现轨到轨的驱动能力和典型值仅为 18ns 的极小传播延迟。

SiLM27511H 在 15V 的 VDD 供电情况下,能够提供 4A 的峰值源电流和 5A 的峰值灌电流。SiLM27511H 欠压锁定保护 (UVLO)12.5/11.5V。


产品特性

低成本的门极驱动方案可用于替代 NPN和 PNP 分离器件方案

4A的峰值源电流和 5A 的峰值灌电流能力

快速的传播延时(典型值为 18ns)

快速的上升和下降时间(典型值为 9ns/6ns)

13.5V 到 20V 的单电源范围

SiLM27511H 欠压锁定保护 (UVLO)12.5/11.5V

兼容 TTL 和 CMOS 的输入逻辑电压阈值

双输入设计(可选择反相或非反相驱动配置)

输入浮空时输出保持为低

工作温度范围为 -40°C 到 140°C

SiLM27511H 提供 SOT23-6 的封装选项

安规认证
典型应用图

27511H.png

产品参数表

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Part Number Power Switch IOH/IOL(A) Input VCC (V) Prop. Delay(ns) Tr/Tf Typ. (ns) Operating Temp(℃) Package Group Packing/QTY
SiLM27511HAC-7GIGBT/MOSFET4.0/5.013.5-2018/189/6-40 ~ 125SOT23-6Reel/3000
SiLM27511HCJ-AQIGBT/MOSFET4.0/5.013.5-2018/189/6-40 ~ 125SOP14Reel/2500
应用案例