SiLM27519 器件是单通道高速低边门极驱动器，可有效驱动 MOSFET 和 IGBT 等功率开关。SiLM27519 采用一种能够从内部极大的降低直通电流的设计，将高峰值的源电流和灌电流脉冲提供给电容负载，以实现轨到轨的驱动能力和典型值仅为 18ns 的极小传播延迟。
SiLM27519 在 12V 的 VDD 供电情况下，能够提供 4A 的峰值源电流和 5A 的峰值灌电流。
低成本的门极驱动方案可用于替代 NPN 和 PNP 分离器件方案
4A 的峰值源电流和 5A 的峰值灌电流能力
快速的传输延时（典型值为 18ns）
快速的上升和下降时间（典型值为 7ns/5ns）
4.5V 到 20V 的单电源范围
VDD 欠压闭锁功能
兼容 TTL 和 CMOS 的输入逻辑电压阈值
双输入设计(可选择反相或非反相驱动配置)
输入浮空时输出保持为低
工作温度范围为 -40°C 到140°C
提供 SOT23-5 的封装选项
400 080 9938
